π-MOS IX系列600V平面MOSFET兼具高效率和低噪音優(yōu)點
東京—東芝電子元件及存儲裝置株式會社今日宣布推出一個新的600V平面MOSFET系列——“π-MOS IX”。批量生產(chǎn)即日啟動。
π-MOS IX系列采用經(jīng)優(yōu)化的芯片設計,與現(xiàn)有的π-MOS VII系列相比,其EMI噪聲峰值低5dB[1],同時保持了相同水平的效率。該產(chǎn)品提供更大的設計自由度,因此有助于減小設計工作量。此外,π-MOS IX系列具備相同的額定雪崩電流和額定直流電流,可輕松取代現(xiàn)有的MOSFET。
東芝電子元件及存儲裝置株式會社將推出更多600V器件以及500V和650V器件,以擴大其π-MOS IX系列的產(chǎn)品陣容。
應用場合
筆記本電腦AC適配器和游戲機充電器的中小型開關電源
照明電源
特點
兼具高效率和低噪音優(yōu)點
額定雪崩電流和額定直流電流相等
主要規(guī)格
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