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          ?我研制出世界最大容量壓接型IGBT

          文章出處:電源 責任編輯:上海意泓電子科技有限責任公司 發(fā)表時間:
          2017
          12-28

          科技日報訊 (記者俞慧友 通訊員劉偉)12月26日,記者從中車時代電氣獲悉,由公司牽頭完成的“3600A/4500V壓接型IGBT及其關鍵技術”項目,日前通過中國電子學會組織的成果鑒定。通過該項目的實施,公司研制出了世界功率等級最高的壓接絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)。據(jù)悉,這也是我國首次實現(xiàn)壓接型IGBT技術的零突破。


          壓接型IGBT是柔性直流輸電領域的核心器件。外形上看,器件與晶閘管等器件相似。但其主要通過并聯(lián)多個“子單元”部件實現(xiàn)功率容量。芯片與電極間的電氣連接,則通過壓力實現(xiàn)。與傳統(tǒng)焊接型IGBT 模塊相比,該類模塊具容量大、高可靠性、失效短路模式等優(yōu)點。

          中車時代電氣副總工程師劉國友介紹,此次研制出的3600A/4500V 壓接型IGBT模塊,是目前市場可見產(chǎn)品中容量最大,具雙面散熱、長期穩(wěn)定失效短路能力的器件。它的研制“融入”了大尺寸U形元胞壓接型芯片、基于低溫納米銀燒結的芯片強化、大面積方形陶瓷管殼并聯(lián)均流封裝等多項核心技術,突破了芯片大規(guī)模并聯(lián)壓接封裝中的壓力均衡及電流均衡的技術難題,實現(xiàn)了器件特性與可靠性的雙重提升。該大容量壓接型IGBT模塊,現(xiàn)已通過多家電網(wǎng)企業(yè)的柔直換流閥級的示范應用驗證試驗,可達量產(chǎn)及工程化應用要求。

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