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          ?OptiMOS線性場效應(yīng)晶體管兼具低RDS(on)值與大安全工作區(qū)

          文章出處:電源 責(zé)任編輯:上海意泓電子科技有限責(zé)任公司 發(fā)表時間:
          2017
          08-01

          英飛凌科技股份公司推出OptiMOS?線性場效應(yīng)晶體管系列。這個全新產(chǎn)品系列兼具溝槽型功率場效應(yīng)管的低導(dǎo)通電阻(RDS(on))與平面MOSFET的大安全工作區(qū)。這就解決了RDS(on)與線性模式功能之間的平衡問題。OptiMOS線性場效應(yīng)晶體管可在增強(qiáng)模式MOSFET的飽和區(qū)工作。OptiMOS線性場效應(yīng)晶體管最適合電信和電池管理系統(tǒng)(BMS)中常見的熱插拔、電子熔斷器和保護(hù)應(yīng)用。

          耐用的線性模式操作和更高的脈沖電流都有助于實(shí)現(xiàn)較低傳導(dǎo)損耗、更快啟動和更短的停機(jī)時間。通過限制較高的勵磁涌流,OptiMOS線性場效應(yīng)晶體管可在發(fā)生短路的情況下防止負(fù)載損壞。

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