?國家存儲器基地建設再加速 “中國芯”將在武漢面世

    長江網4月14日訊(長江日報記者 邵瀾) 武漢國家存儲器基地項目邁出重要一步，正式從工程建設轉入量產準備階段。11日，市長萬勇在國家存儲器基地項目芯片生產機臺搬入活動上強調，要以習近平新時代中國特色社會主義思想為指導，堅決貫徹黨中央、國務院和省委省政府決策部署，加快推進國家存儲器基地項目建設和技術攻關，讓“中國芯”在武漢越做越大、越做越強。

　　2016年7月，國家存儲器基地項目花落武漢，承擔著中國集成電路閃存芯片產業(yè)規(guī)模化發(fā)展“零”的突破、改變我國通用存儲器全部依賴進口被動局面的重大使命。去年9月，國家存儲器基地項目提前封頂，此次芯片生產機臺進場安裝后，年內有望產出我國首批擁有完全自主知識產權的32層三維NAND閃存芯片。

　　萬勇說，國家存儲器基地項目芯片生產機臺搬入，是“中國芯”的一大步，也是“新武漢造”的一大步。建設國家存儲器基地的過程，是武漢勇?lián)鷩沂姑?、推進制造強國的過程，武漢一直在為圓國家存儲器基地的美夢而不懈努力。

　　事非經歷不知難。萬勇與現(xiàn)場嘉賓分享了國家存儲器基地項目從爭取建設、洽談項目、會商合作，到選址建設、廠房封頂、研發(fā)產品等多個重要時刻的所見所感，引發(fā)了現(xiàn)場與會人員的強烈共鳴。他說，正是這一路走來的一個個精彩場景，成就了當天機臺搬入這一激動人心的時刻。